本模块是我们学习完整晶体管的第一个模块；本模块的大部分内容以及下一模块的内容将构成我们在课程其余部分的核心内容。希望大家多花时间学习，确保深入理解这些材料。这两个单元的总观看时间较短，这应该会有所帮助。

本教材是有关直流工作中的长沟道晶体管的讲座的结尾。如前所述，这些讲座将构成我们后续讨论的核心。

在本模块中，我们将讨论晶体管尺寸变小时出现的现象；这是处理现代设备时需要掌握的重要知识。

在本模块中，我们将首先讨论小尺寸效应，然后讨论电路仿真模型（你们中的电路设计师可能已经在使用这类模型了）。我们将讨论如何制作一个好的电路仿真模型（其中包括：大量的谨慎和小心，以及约 20,000 行代码！），以及如何发现这些模型可能存在的问题。尽管电路仿真模型还包括我们尚未讨论的功能，如电荷建模，但我们认为，在这一点上，你对模型已经有足够的了解，能够跟上这次一般性讨论（这是不按顺序的--它来自本书第 10 章，在那里你可以找到更多关于这个主题的内容）。

在本模块中，我们的做法与之前有很大不同：我们将允许晶体管的端电压随时间变化。我们将确定由此产生的终端电流，其中将包括 "充电 "部分。我们将在中等 "速度 "和超高 "速度 "时都这样做。电路的瞬态响应也涉及类似的计算，只不过是通过计算机对晶体管和其他器件的组合进行计算。

本模块的材料涉及小信号建模，是描述 MOS 晶体管行为的重要部分。它将端电压的微小变化与由此产生的电流微小变化联系起来。小信号建模是模拟电路设计的关键，不仅如此，它还用于高性能数字电路设计（如设计存储器感应放大器）。

本材料结束了我们对小信号建模的讨论；它展示了我们如何在上周得出的简单模型无效的频率下建立晶体管模型。这种建模在高频应用（如收发器设计）中非常重要。

考试采用开卷、笔记和视频的形式。考试内容包括本课程前九周的视频材料。您不得与任何人直接或间接讨论考试内容。任何违反此规定的人都将被从课程中除名。当然，您也可以随时报告考试及其提交过程中出现的技术问题。

尽管期末考试不会考查您对这些材料的了解程度，但我们还是建议您阅读这些材料，因为其中涉及一些重要的主题，即噪声、离子注入和基片不均匀性以及统计变异性；这些主题将有助于您完成对 MOS 晶体管的了解。